信息来源：https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/russia-outlines-euv-litho-chipmaking-tool-roadmap-through-2037-country-eyes-replacing-duv-with-euv-but-plans-appear-unrealistic

俄罗斯科学院微观结构物理研究所近日发布了一项雄心勃勃的极紫外光刻技术发展规划，计划到2037年实现从40纳米到亚10纳米制程的完整技术覆盖。这一战略性布局不仅试图打破荷兰ASML公司在EUV光刻设备领域的绝对垄断，更采用了截然不同的技术路径，力图在全球半导体制造装备竞赛中占据一席之地。

该路线图最引人注目的特点在于其技术创新性。俄罗斯团队选择了11.2纳米的工作波长，配合氙等离子体光源和钌-铍反射镜系统，这与ASML采用的13.5纳米波长锡等离子体技术形成鲜明对比。这种技术选择背后蕴含着深刻的工程考量：氙等离子体相比锡滴等离子体能够显著减少碎片产生，从而降低对光掩模的损害，大幅减少设备维护需求和运营成本。

三阶段技术演进路径

（图片来源：美光）

俄罗斯的EUV光刻发展战略被明确划分为三个渐进式阶段，每个阶段都有具体的技术指标和时间节点。第一阶段覆盖2026至2028年，目标是开发支持40纳米制程的光刻设备。这台设备将采用双镜物镜设计，实现10纳米的叠加精度，曝光场尺寸达到3×3毫米，每小时处理超过5片晶圆。

第二阶段计划在2029至2032年间推出，技术水平将跃升至28纳米制程，并具备14纳米的潜在能力。该阶段设备采用四镜光学系统，叠加精度提升至5纳米，曝光场扩大到26×0.5毫米，生产效率大幅提升至每小时50片晶圆以上。

最终阶段预定在2033至2036年实现，这是整个路线图的核心目标：实现亚10纳米制程的量产能力。该系统将配备六镜光学配置，叠加对准精度达到2纳米，曝光场尺寸为26×2毫米，设计产能超过每小时100片晶圆。这一技术指标已经接近当前国际先进水平。

从技术发展的角度来看，这种渐进式路径体现了务实的工程思维。每个阶段的技术难度逐步递增，既保证了技术积累的连续性，又为后续阶段的突破奠定了基础。特别是在光学系统设计方面，从双镜到六镜的演进路径清晰地体现了复杂度管理和技术成熟度的平衡。

独特技术选择的战略考量

俄罗斯选择11.2纳米波长而非行业标准13.5纳米波长，这一决策背后体现了多重战略考量。首先，这种技术路径能够绕开ASML的专利壁垒，避免在知识产权层面的直接冲突。其次，氙等离子体光源相比锡等离子体具有更好的稳定性和更低的维护成本，这对于资源相对有限的俄罗斯半导体产业具有重要意义。

然而，这种非标准化选择也带来了显著挑战。11.2纳米波长需要专门设计的反射镜、抛光工具、光学器件、光源系统和光刻胶材料。这意味着俄罗斯必须建立完整的供应链体系，而不能依赖现有的EUV生态系统。这种垂直整合的要求虽然增加了初期投入，但也为长期的技术自主性奠定了基础。

混合固态激光器的采用是另一个技术亮点。相比于传统的气体激光器或二氧化碳激光器，固态激光器具有更高的功率稳定性和更长的使用寿命。这种技术选择不仅有助于提高设备的可靠性，也为未来的技术升级预留了空间。

市场定位与商业策略

俄罗斯EUV光刻路线图的市场定位值得深入分析。该项目并未直接瞄准台积电、三星等顶级晶圆厂的最高端需求，而是将目标锁定在中小型代工厂和特定应用领域。这种市场策略体现了对自身技术实力和产业基础的清醒认识。

通过提供成本效益更高的解决方案，俄罗斯EUV设备可能吸引那些无法承受ASML高昂设备成本的代工厂。特别是在一些对制程要求不是极端苛刻的应用领域，如汽车电子、工业控制、物联网芯片等，俄罗斯的技术方案可能具有显著的价格竞争优势。

此外，该技术路线图还瞄准了国际市场中被ASML生态系统排除的潜在客户。在当前的地缘政治环境下，一些国家和企业可能面临获取先进半导体制造设备的限制，俄罗斯的替代方案可能为这些客户提供新的选择。

从产业发展的角度来看，俄罗斯的尝试也具有重要的示范意义。它证明了在ASML主导的EUV市场中，仍然存在技术创新和差异化竞争的空间。这种多元化的技术路径有助于推动整个行业的技术进步和成本优化。

技术挑战与实现难度

尽管路线图描绘了宏伟的技术愿景，但其实现难度不容低估。EUV光刻技术被公认为半导体制造领域最复杂的技术之一，涉及精密光学、高功率激光、超精密机械、真空技术、材料科学等多个前沿领域的深度集成。

光源功率是第一个关键挑战。实现商业化生产所需的光源功率通常需要达到几百瓦的量级，而维持这种高功率输出的稳定性和一致性极其困难。俄罗斯选择的氙等离子体光源虽然具有某些优势，但在功率密度和转换效率方面仍需大量技术突破。

反射镜系统是另一个技术难点。钌-铍反射镜必须在保持超高反射率的同时，承受强烈的EUV辐射而不发生性能衰减。这要求在材料科学、表面工程和制造工艺方面达到极高的技术水平。

精密定位和控制系统的要求同样苛刻。2纳米的叠加精度意味着整个系统的机械稳定性必须达到亚纳米级别，这对振动控制、温度管理、空气流动控制等方面都提出了极高要求。

最后，整个项目的系统集成复杂度可能超出预期。从单个技术组件的突破到完整系统的商业化生产，中间还有巨大的工程化鸿沟需要跨越。这不仅需要大量的资金投入，更需要经验丰富的工程团队和完善的产业链支撑。

俄罗斯EUV光刻路线图无疑是一个极具雄心的技术计划，其成功与否将对全球半导体设备产业格局产生重要影响。虽然面临诸多挑战，但其独特的技术路径和差异化定位为行业发展提供了新的思路和可能性。